產(chǎn)品名稱：CVD二硫化鉬薄膜（CVD MoS2）

產(chǎn)品描述：

CVD二硫化鉬薄膜（CVD MoS2）

二硫化鉬（MoS2）是一類典型的過渡金屬硫族化合物（TMDs），以其獨特的層狀結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的電子、光學(xué)特性在新一代電子器件、光電探測器、傳感器以及能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域中具有重要應(yīng)用價值。采用化學(xué)氣相沉積（CVD, Chemical Vapor Deposition）方法制備的MoS2薄膜，具有高質(zhì)量、均勻性好、可控性強的優(yōu)勢，能夠?qū)崿F(xiàn)大面積連續(xù)薄膜的合成，相比于傳統(tǒng)的機械剝離法，CVD方法更適合規(guī)?；a(chǎn)與器件集成。

CVD MoS2薄膜通常通過在高溫條件下，以MoO3或MoCl5為鉬源、S粉或H2S為硫源進行反應(yīng)，沉積在藍寶石、SiO2/Si或石英等襯底上。通過調(diào)控溫度、氣氛流量、前驅(qū)體比例和沉積時間，可以獲得單層或多層的MoS2薄膜，并且其層數(shù)、晶粒大小、晶向取向均可控。單層MoS2具有直接帶隙（約1.8 eV），而多層MoS2呈現(xiàn)間接帶隙（約1.2 eV），這種帶隙的層數(shù)依賴性，使其在光電轉(zhuǎn)換和可調(diào)諧電子器件中具有獨特優(yōu)勢。

CVD MoS2薄膜可廣泛應(yīng)用于場效應(yīng)晶體管（FET）、柔性電子器件、光電探測器、氫析出反應(yīng)（HER）電催化劑以及傳感器器件等。近年來，研究者還將CVD MoS2與石墨烯、h-BN等二維材料進行異質(zhì)結(jié)構(gòu)集成，用于構(gòu)建新型隧穿器件與光電子元件。隨著CVD工藝的成熟，大面積高質(zhì)量MoS2薄膜有望在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中實現(xiàn)更廣泛的應(yīng)用。 

產(chǎn)地：西安齊岳生物

用途：科研

以上資料由西安齊岳生物小編zhn提供，僅用于科研  

運輸說明：

極低溫產(chǎn)品：極低溫產(chǎn)品運輸過程中加裝干冰運輸。

低溫產(chǎn)品：低溫產(chǎn)品運輸過程中加裝專用冰袋運輸。

常溫產(chǎn)品：常溫產(chǎn)品運輸過程中無需加冰或者特殊包裝。

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西安齊岳生物科技有限公司（Qiyue Bio）成立于2015年7月，位于陜西省西安市，是一家專注于科研試劑、材料科學(xué)和生命科學(xué)領(lǐng)域的高科技企業(yè)。公司致力于提供多肽、磷脂、發(fā)光材料、超分子、光刻膠、碳納米管、納米材料、蛋白質(zhì)交聯(lián)劑、脂質(zhì)體等產(chǎn)品的研發(fā)、定制合成和技術(shù)服務(wù)。 

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