硒化鎵納米顆粒（GaSe納米顆粒，100nm）
產(chǎn)品名稱：硒化鎵納米顆粒（GaSe納米顆粒，100nm）
產(chǎn)品描述：
硒化鎵納米顆粒（GaSe納米顆粒，100nm）
硒化鎵（Gallium Selenide，GaSe）是一種Ⅲ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體，具有層狀結(jié)構(gòu)和優(yōu)良的光電性能。在納米尺度下，硒化鎵表現(xiàn)出顯著的量子限域效應(yīng)、增強(qiáng)的非線性光學(xué)響應(yīng)、良好的電化學(xué)穩(wěn)定性和高比表面積，使其成為多種高性能電子和光電器件的重要構(gòu)建材料。100nm級(jí)別的GaSe納米顆粒因其尺寸較小，能夠提供更多的活性位點(diǎn)和更快的界面反應(yīng)動(dòng)力學(xué)，在太陽(yáng)能光電轉(zhuǎn)換、光催化、非線性光學(xué)和二維材料異質(zhì)結(jié)集成等領(lǐng)域中具有廣泛應(yīng)用。
從晶體結(jié)構(gòu)上來(lái)看，GaSe為層狀結(jié)構(gòu)，每層由Ga原子和Se原子通過(guò)共價(jià)鍵構(gòu)成四層堆疊的Se–Ga–Ga–Se單元，層與層之間通過(guò)較弱的范德華力結(jié)合。這種結(jié)構(gòu)便于實(shí)現(xiàn)機(jī)械剝離或液相剝離制備薄片材料，同時(shí)也有利于與其他二維材料形成異質(zhì)結(jié)，從而調(diào)控電子結(jié)構(gòu)與光學(xué)帶隙。其帶隙約為2.0 eV，適合于可見光吸收，可廣泛用于光探測(cè)器、光電二極管、非線性晶體和紅外激光調(diào)制器等。
在合成方面，GaSe納米顆粒通常采用溶劑熱法、高溫注射法、氣相沉積法等手段制備。100nm粒徑的GaSe顆粒具有良好的分散性和穩(wěn)定性，可在水相、乙醇或其它極性溶劑中形成穩(wěn)定分散液，便于與聚合物、石墨烯、氧化石墨烯或MXene等材料復(fù)合，提升其功能集成性能。例如，將GaSe納米顆粒負(fù)載在還原氧化石墨烯（rGO）上可構(gòu)建高性能電容器或光電催化系統(tǒng)。
近年來(lái)，GaSe納米顆粒也被探索應(yīng)用于生物成像與光熱治療。其良好的光熱轉(zhuǎn)換效率和生物相容性使其在近紅外區(qū)域的光熱治療和成像中表現(xiàn)出色。與熒光染料或生物配體表面修飾后，GaSe納米顆粒可以用于靶向腫瘤檢測(cè)和成像。同時(shí)，在柔性電子器件領(lǐng)域，由于其機(jī)械柔性好、易層疊和良好的載流子遷移率，GaSe基納米材料也展現(xiàn)出制作柔性光電探測(cè)器或柔性太陽(yáng)能電池的潛力。
產(chǎn)地：西安齊岳生物
用途：科研
以上資料由齊岳生物小編zhn提供，僅用于科研
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